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FeRAM(エフイーラム。Ferroelectric Random Access Memory) |
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英字−【F】
FeRAM
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強誘電体を用いた不揮発性メモリのことです。 強誘電体は、外部から電界を加えると物質の内部でプラスとマイナスの電荷が分かれ、電界を切った後でもその状態が残る物質です。電界を加える方向を変えることによって2つの状態を作ることができ、これを「0」と「1」に割り当てることによりメモリとしての機能を持たせることができるというものです。 FeRAMは、DRAMと同程度の高速なデータの読み書きが行え、フラッシュメモリのように電源を切ってもメモリの内容が保持される不揮発性メモリでありながら、DRAMよりも消費電力が少なく、フラッシュ・メモリよりも書き換え可能回数が圧倒的に多いため、DRAMやフラッシュ・メモリなどの現在のメモリにとってかわる次世代のメモリとして大いに期待されています。 FeRAMのメモリセルは、1組、または、2組のトランジスタとキャパシタから構成されているため高集積化が難しいとされていましたが、1個のトランジスタのみでメモリセルを構成する技術も開発されており、大容量化の問題も解決されようとしています。
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コンパクト版 インターネット辞典 監修:東京大学大学院 情報理工学系研究科 助教授 江崎 浩 発行:IEインスティテュート (C) Hiroshi ESAKI, 2000 (C) 2002 IE Institute.co.,Ltd. IT辞典は「コンパクト版 インターネット辞典」に用語の追加・編集を行って提供しています。 |
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