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 MRAM
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 TMR素子を用いた不揮発性メモリのことです。現在のDRAMやSRAMのようなメモリが、電荷によってデータを記憶しているのに対し、MRAMは、ハードディスクのように磁性体の向きによってデータを記憶します。
 TMR(Tunnel Magneto Resistance、トンネル磁気抵抗効果)素子は、絶縁体の薄膜を2つの強磁性体で挟んだもので、両側の磁性体層の磁界の向きを変えることによって電気抵抗が変化します。この電気抵抗の違いを「0」と「1」に割り当てることによりメモリとしての機能を持たせることができるというものです。
 MRAMは、SRAM並みの高速なデータの読み書きが行え、フラッシュメモリのように電源を切ってもメモリの内容が保持される不揮発性メモリでありながら、消費電力が少なく、フラッシュ・メモリよりも書き換え可能回数が圧倒的に多いため、DRAM、SRAM、フラッシュ・メモリなどの現在のメモリにとってかわる次世代のメモリとして大いに期待されています。
関連用語
DRAM
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ハードディスク
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コンパクト版 インターネット辞典
監修:東京大学大学院 情報理工学系研究科 助教授 江崎 浩
発行:IEインスティテュート
 
(C) Hiroshi ESAKI, 2000
(C) 2002 IE Institute.co.,Ltd.
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